三星在韩国的EUV制造基地破土动工

三星上周五宣布，它已经在韩国华森新的EUV（极端紫外线）制造设施上破土动工。这个价值60亿美元的项目预计将于2019年下半年完成，2020年将提前投产。

该最先进的制造设施将建立与EUV光刻设备，能够克服纳米水平的技术限制。三星最初将专注于7纳米（N m）LPP（低功率加）EUV工艺技术..

就在昨天，我们了解到高通将利用三星的7nm工艺来制造未来的Snapdragon5G移动芯片组。而且不仅仅是传统的移动设备将受益——三星预计，这一设施将有助于加强其在网络、服务器、移动和高性能计算等多个领域的领导地位。

与三星的10nm FinFET工艺相比，新的7nmEUV技术允许提高40%的区域效率，客户可以调整高达30%的功耗或10%的性能。

三星电子（SamsungElectronics）设备解决方案公司总裁兼首席执行官Kinam Kim表示，随着新的EUV生产线的加入，Hwaseong将成为该公司跨越吉亨、Hwaseong和平泽的半导体集群的中心。