SK海力士发射96层4D NANDflash

东芝和三星只是已经开始制造96层NAND产品的两家公司。SKHynix的芯片基于其TLC(三层单元)阵列，使用3DCTF(电荷陷阱闪存)设计，而不是浮置栅极，并且其逻辑电路被放置在快闪单元下面-在单元(pUC)下调用外围的设计。其他公司使用类似的技术，但在不同的名称下。三星在外围呼叫它的核心，Micron的版本是阵列下的CMOS。

SKHynix说，与72层512GB3DNAND相比，4DNAND芯片具有比其72层512GB3DNAND快30％的写比和25％的读性能。与此同时，数据带宽翻了一倍，达64KB，是业界最大的。“随着多栅极绝缘体结构的引入，其数据I/O(输入输出)速度在1.2V(伏特)的操作功率下达到1,200Mbps(兆位/秒)，”公司写道。

SKHynix计划推出1TB固态硬盘，使用其4D闪存技术及其自己的控制器和固件，在2019年下半年推出企业级SSD。该公司还补充说，它还将于2019年发布“超高密度”96层1TB三层单元(TLC)和四电平单元(QLC)SSD。

“该96层CTF-based4DNAND（具有业界最高的成本竞争力和性能）将成为公司NAND闪存业务中的一个里程碑，作为开发未来产品的平台，"说，JTKim，公司副总裁和NANDMarketing的负责人。"公司计划在今年内开始大规模生产，进一步扩大M15生产，积极应对各种客户。"