您现在的位置是: 股票 > > 正文

三星第二代4nmGAP工艺曝光了吗?性能怎么样?

时间:2023-05-23 15:58:59 来源:环球科技网 发布者:DN032

三星公布第二代3nm和第四代4nm工艺最快2024年见面

在晶圆代工市场,台积电保持着绝对的领先地位。不过,三星毫不掩饰自己的觊觎之心,并迫切希望有朝一日可以和台积电平起平坐甚至弯道超车。

据悉,三星表示将在6月11日到16日于日本举行的超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)上,公布其新一代制程工艺,即第二代3nm和第四代4nm。

此前,三星的4nm口碑不佳,代表芯片Exynos 2200和骁龙8 Gen1/骁龙7 Gen1等都出现了发热、高频低能等问题,远不如同期的台积电4nm。

三星的SF3即3nm GAP工艺作为改良版的第二代,号称比比SF4(4nm EUV LPP)相同功耗下性能提升22%、逻辑面积缩小21%、相同晶体管和频率下能效高34%。

SF3的潜在产品据说会是Exynos 2500和骁龙8 Gen4,最快2024年见面。

至于第四代4nm,名为SF4X,号称比SF4(第二代4nm)性能提升10%、能效提升23%,主要面向高性能计算场景,看来有望争夺NVIDIA和AMD的GPU单子。

标签: 三星芯片 存储器产业 存储行业发展前

抢先读

相关文章

热文推荐

精彩放送

关于我们| 联系我们| 投稿合作| 法律声明| 广告投放

版权所有© 2011-2023  产业研究网  www.coalstudy.com

所载文章、数据仅供参考.本站不作任何非法律允许范围内服务!

联系我们:39 60 29 14 2 @qq.com

皖ICP备2022009963号-13